CVD BN陶瓷與非金屬接合步驟與制備
隨著新資料的開(kāi)發(fā)及利用,非氧化物陶瓷,如AlN,Si3N4及BN等氮化物陶瓷,以其獨(dú)特的性能愈來(lái)愈受到人們的注重。尤其是化學(xué)氣相沉積(CVD)BN陶瓷,因?yàn)槠鋬?yōu)質(zhì)的介電特點(diǎn)(低ε和tgδ)及良好的導(dǎo)熱性能,變成大功率微波電子器件現(xiàn)實(shí)的窗片資料及夾持資料。CVDBN陶瓷作為微波輸能窗及夾持桿利用的要害技能之一是它與非金屬的氣密性接合。
CVDBN陶瓷是一種高純陶瓷資料,純度可達(dá)99.99%,俗名“白石墨”,屬六方層狀構(gòu)造。它是一種典型的各向同性資料,在垂直于沉積面位置及平行于沉積面位置性能有很大差距。另外,它與AlN,Si3N4同屬共價(jià)鍵構(gòu)造,且其共價(jià)鍵性比AlN,Si3N4更強(qiáng),很難與其余物質(zhì)產(chǎn)生化學(xué)反響。之上零點(diǎn)使得CVDBN陶瓷很難兌現(xiàn)非金屬化及其與非金屬的接合。
依據(jù)現(xiàn)已簡(jiǎn)報(bào)的材料,眼前主宰CVDBN與非金屬氣密接合技能的重要是俄羅斯和英國(guó)。海內(nèi)還沒(méi)有這方面的簡(jiǎn)報(bào)。本作業(yè)通過(guò)積年的摸索與鉆研,主宰了CVDBN陶瓷與非金屬(無(wú)氧銅、可伐、鈦)的真大氣密封接技能及工藝,眼前能順利地兌現(xiàn)<10～36mm直徑的BN窗與非金屬的氣密封接,并滿足了器件對(duì)封接件的熱性能考勤務(wù)求。
白文旨在經(jīng)過(guò)對(duì)CVDBN陶瓷與非金屬接合界面的宏觀綜合,探明其接合機(jī)理,從而為進(jìn)一步的工藝鉆研及設(shè)計(jì)作指點(diǎn)。
本試驗(yàn)所用資料有:無(wú)氧銅片(TUO),鈦片(TAO),CVDBN(俄羅斯打造,純度99.7%),Ag2Cu片,Pd2Ag2Cu片和TiH2粉(純度99.65%)。1號(hào)樣品的制備:以CVDBN陶瓷和無(wú)氧銅為被聯(lián)接目標(biāo),Ti以TiH2形式引入,焊料為Pd2Ag2Cu。率先將CVDBN片和無(wú)氧銅片切長(zhǎng)進(jìn)方條,依照通例的陶瓷、非金屬蕩滌工藝蕩滌后,在CVDBN陶瓷的封接面上涂敷TiH2粉,而后按圖1裝架,在真空爐中于900～950℃下鉚接,鉚接工藝與理論利用工藝徹底相反。
圖1 1號(hào)樣品裝架示用意
圖2 2號(hào)樣品裝架示用意
將1號(hào)及2號(hào)樣品鑲嵌于環(huán)氧樹脂中,經(jīng)一系列研磨,最初拋光蕩滌,利用日立S2450型EDX綜合儀對(duì)其界面作SEM/EDX綜合。綜合之前樣品事后蒸C15～20min。將2號(hào)樣品沿陶瓷非金屬接合界面撕開(kāi),用PH3500型ESCA作界面XPS綜合。將CVDBN陶瓷研碎,接定然對(duì)比與TiH2粉混合,干壓成形,在真空爐中經(jīng)900℃,30min熱解決,用阿曼理光DlMax2RB型衍射儀對(duì)所得樣品繼續(xù)衍射相綜合。
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